Сиротинский, Леонид Иванович

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис
Леонид Иванович Сиротинский
Сиротинский в лаборатории высоких напряженийСиротинский в лаборатории высоких напряжений
Место рождения Николаев,
Херсонская губерния,
Российская империя
Страна  Российская империя,  СССР
Научная сфера техника высоких напряжений
Учёная степень доктор технических наук
Учёное звание профессор
Награды и премии
Орден Ленина Орден Ленина Орден Трудового Красного Знамени Орден «Знак Почёта»
Ленинская премия — 1962 Сталинская премия — 1951

Леонид Иванович Сироти́нский (1879—1970) — основатель московской научной школы техники высоких напряжений.

Биография

Родился в 1879 году в Николаеве (ныне Украина). Окончил гимназию, два курса Петербургского университета (из которого в 1899 исключён за участие в студенческих демонстрациях) и Льежский электротехнический институт (Бельгия).

В 1903—1906 годах работал в Москве на электромеханическом заводе (будущее «Динамо»). В 1907—1928 годах преподаватель в Механико-техническом училище Общества распространения технических знаний (с 1921 года — Практический электротехнический институт).

В 1918—1958 годах на научно-преподавательской работе в МЭИ имени В. М. Молотова и одновременно в 1921—1958 годах — во Всесоюзном электротехническом институте (был одним из его создателей). В 1931 года организовал в МЭИ кафедру и лабораторию высоких напряжений. Под руководством Л. И. Сиротинскогов МЭИ было подготовлено и защищено около 15 кандидатских и докторских диссертаций.

С 1958 года профессор-консультант ВЭИ. Соавтор трёхтомного учебника «Техника высоких напряжений» (1939—1945).

В 1903-1919 был женат на Нине Евгеньевне Веденеевой, в этом браке был сын Евгений. В 1919 г. супруги развелись.

Умер в 1970 году. Похоронен на Ваганьковском кладбище (2 уч.)[1].

Награды и премии

Примечания

  1. Артамонов М. Д. Ваганьково. — М.: Моск. рабочий, 1991. — С. 169.

Источники